삼성 LLW D램 개발

"삼성, LLW D램 개발… 온디바이스 AI 경쟁서 앞서"

내용 요약:

• 삼성전자는 내년 말 목표로 LLW(Low Latency Wide IO) D램을 양산할 예정이다. 이는 온디바이스 AI를 위한 고성능 반도체로, 클라우드 연결 없이 스마트폰 등에서 AI 기능을 구현하는 기술에 중점을 둔다.
• LLW D램은 기존 모바일 제품인 LPDDR 대비 입출력(I/O) 통로를 늘려 대역폭을 높인 특수 D램으로, 데이터 처리에 용이하며 삼성전자는 경쟁력을 높이고 있다.
• SK하이닉스는 애플의 차세대 AR 디바이스 '비전프로'에 특수 D램을 공급한다. 이 D램은 애플이 새롭게 개발한 'R1' 칩과 연동되어 고화질 영상 처리를 지원한다.

• 온디바이스 AI는 스마트폰, 자율주행차, XR 및 AR 디바이스에서 다양한 기능을 수행하며, 이를 위해 성능이 향상된 메모리 반도체가 필수적이다.
• 삼성전자와 SK하이닉스의 온디바이스 AI 기술 개발은 새로운 메모리 반도체인 LLW D램이 주목받고, 향후 고객 맞춤형 메모리의 확대와 가격 협상력 유지가 예상된다.

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요약:

삼성전자가 내년 말에 출시할 LLW D램은 온디바이스 AI 기술을 강화하는 중요한 요소로 부상하고 있다. 이 반도체는 대역폭을 높여 데이터 처리 속도를 개선함으로써 스마트폰 등에서의 실시간 AI 기능을 강화한다. 경쟁사인 SK하이닉스는 애플의 비전프로에 특수 D램을 공급하여 AR 기능을 지원한다. 온디바이스 AI는 스마트폰과 다양한 IT 기기에서 확대되고 있으며, 새로운 메모리 반도체 시장이 개방되며 산업 경쟁이 예상된다. LLW D램의 등장은 스마트폰 D램 시장을 새로운 수요 모멘텀으로 이끌어낼 것으로 전망된다.